半導體廠的各製程所需使用的特氣
特殊氣體上，可略分為下述三大類：
(1) 惰性氣體(Inert Gas)的He, SF6,CO2, CF4, C2F6, C4H8及CH3F等。
(2) 燃燒性氣體(Flammable Gas)的SiH4,Si2H6, B2H6, PH3, SiH2Cl2, CH3, C2H2及CO等。
(3) 腐蝕性氣體(Corrosive Gas)的Cl2,HCl, F2, HBr, WF6, NH3, BF2, BCl3, SiF4, AsH3, ClF3, N2O, SiCl4, AsCl3及SbCl5等。
實際上，有些氣體是兼具燃燒及腐蝕性的。其中除惰性氣體外，剩下的均歸類為毒性氣體。SiH4,B2H6,PH3等均屬自燃性氣體(Pyrophoricity)，即在很低的濃度下，一接觸大氣後，立刻會產生燃燒的現象。
作用:
He: 濺鍍
SiH4,Si2H6, PH3, SiH2Cl2,WF6,: 氣相沉積
Cl2,HCl, HBr, NH3, BF2, BCl3, SiCl4, AsCl3: 蝕刻
SiF4, AsH3,ClF3,PH3,B2H6:離子植入
氧氣的發現:
O2(氧氣)無色﹑無味﹑無臭的氣體﹐作為一種工業氣體主要由空氣分離而得。氧氣比空氣略重﹐微溶於水﹐液化溫度90.17K﹐固化溫度62.76K。氧氣的化學性質極為活潑﹐能與惰性氣體以外的所有化學元素形成氧化物﹐大多數元素在含氧氣氛中加熱時形成氧化物﹐有些元素可形成多種氧化物。氧氣能助燃﹐與其他可燃物按一定比例混合易發生爆炸。
氧氣廣泛分布在自然界中﹐空氣﹑水﹑礦石中的氧約佔地殼質量的一半﹐是地殼中含量最多的元素。氧佔空氣的 20.94％(體積)。人類與動植物的生存依賴氧氣。空氣中的氧氣雖然不斷地用於呼吸﹑燃燒和其他氧化過程﹐但總量幾乎不變﹐這主要是由於綠色植物在光合作用過程中﹐由二氧化碳與水合成碳水化合物時放出了氧氣。
生產方法 工業上氧氣的生產方法有以下幾種。深度冷凍法﹕由空氣分離製得。空氣經壓縮﹑冷卻而液化﹐在精餾塔中因氧氣與氮氣沸點不同而分離﹐此法是最經濟的製氧方法﹐可製得純度極高的氧氣﹐在工業上得到廣泛應用﹐採用全低壓流程﹐產品純度在98％以上﹐1m氧氣耗電量1.62～1.98MJ。分子篩變壓吸附法﹕也由空氣分離製得。氧氣的純度為70％～80％。電解水法﹕在電解槽中﹐水被直流電電解為氫氣與氧氣﹐氧氣由陽極放出﹐氫氣由陰極放出。為提高水的電導率﹐可在電解槽中加入少量電解質(如氫氧化鈉或氫氧化鉀)。此法耗電量大﹐1m氧氣耗電量43.2～54MJ﹐成本高﹐只適於小型生產。
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